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導電型4H-SiC外延晶片

      深圳市重投天科半導體有限公司為客戶提供低缺陷密度高均勻性的4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，其中外延層厚度為1μm至35μm，摻雜濃度為1E15—1E18 cm^（-3）。產品主要用于制造結勢壘肖特基功率二極管（JBS）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和結型場效應晶體管（JFET）。其應用領域包括白色家電等消費電子、電動汽車、軌道交通、國家電網、航空航天、軍民融合和機載艦載電源等。

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